Нано Технологии

Главная Публикации Основы наноэлектроники Проблеммы одноэлектроники

Main Menu

Главная
Новости
Публикации Литографические процессы Основы наноэлектроники Тонкие плёнки ОПМ
FAQ
Галерея
Ссылки
Контакты
Администратор

Login Form

Логин Пароль Запомнить меня
Забыли пароль?

Ещё не зарегистрированы? Регистрация

Online Users
Нет пользователей в онлайне

Who's Online
На сайте: 1 гость

Hit Counter
16309 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
<A href="http://plasma.karelia.ru/pub/nano-kurs/" target="_blank"><img src="http://plasma.karelia.ru/pub/nano-kurs/n88x31.gif" alt="NANO_Technologies" width="88" height="31" border="0"></A>

Newsflash

Идея, так называемых нано-компьютеров не является фантастикой! Многие производители сейчас ведут разработки процессоров на уровне молекул, или даже атомов. Скорость в таких компьютерах будет колоссально высокой, т.к. расстояние между деталями практически отсутствует. Да и деталей как таковых там не будет.

27 September 2005

Проблеммы одноэлектроники |  |

Опубликовал Irina Bolshakova |

04 December 2004

В последнее время в связи с приближением к пределам миниатюризации классических микроэлектронных приборов усилился интерес к приборам, могущим обеспечить дальнейший прогресс электроники. Одним из возможных путей такого прогресса является создание приборов, в которых контролируется перемещение определенного количества электронов, в частности, одного электрона. Создание так называемых одноэлектронных приборов открывает заманчивые перспективы цифровой одноэлектроники, в которой бит информации будет представлен одним электроном. В таких приборах перемещение электрона происходит посредством туннелирования. Так как времена туннелирования электрона достаточно малы, то теоретический предел быстродействия одноэлектронных приборов очень высок. С другой стороны, работа, необходимая для перемещения одного электрона, также мала, следовательно, энергопотребление одноэлектронных схем должно быть чрезвычайно небольшим. Так, по оценкам основоположника одноэлектроники К. К. Лихарева [1] теоретический предел быстродействия одноэлектронного прибора составляет сотни ТГц (терагерц), а энергопотребление одного прибора - 3 х10-8 Вт.

Явление одноэлектронного туннелирования впервые было предсказано в 1986 г. нашим соотечественником К.К. Лихаревым [2]. Через несколько лет после первой статьи Лихарева начало появляться множество работ, в которых описывалось экспериментальное наблюдение эффектов, предсказанных Лихаревым. Таким образом, теория блестяще подтвердилась экспериментально.
В силу особенностей, которые будут подробно обсуждены ниже, первые эксперименты проводились при очень низких температурах — несколько мК, а в настоящее время одноэлектронные эффекты наблюдаются и при комнатной температуре, однако это осуществлено лишь при использовании сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), и приборов, работающих при комнатной температуре, до сих пор не создано. Устойчиво функционирующие приборы с воспроизводимыми характеристиками существуют лишь при температуре 4.2 К. Однако в отличие от ситуации с высокотемпературной сверхпроводимостью, где неясно, возможна ли сверхпроводимость при комнатной температуре, одноэлектронные эффекты при комнатной температуре уже наблюдались и проблема заключается в создании работоспособных приборов.

Most Read

| Физические основы наноэлектроники
| Сайт Нано Технологии
| Однопереходные транзисторы, технологии получения наноструктур
| Плазменное травление
| Анализ ключевых аспектов плазменного травления

Shout It!
Expand | Crop | Help Имя: Сообщение:

Главная | Новости | Публикации | FAQ | Галерея | Ссылки | Контакты | Администратор |
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.