Нано Технологии

Главная Публикации Основы наноэлектроники Одноэлектроника

Main Menu

Главная
Новости
Публикации Литографические процессы Основы наноэлектроники Тонкие плёнки ОПМ
FAQ
Галерея
Ссылки
Контакты
Администратор

Login Form

Логин Пароль Запомнить меня
Забыли пароль?

Ещё не зарегистрированы? Регистрация

Online Users
Нет пользователей в онлайне

Who's Online
На сайте: 1 гость

Hit Counter
16309 посетителей

Наш баннер:
Мы будем рады, если вы разместите на своем сайте нашу кнопочку
<A href="http://plasma.karelia.ru/pub/nano-kurs/" target="_blank"><img src="http://plasma.karelia.ru/pub/nano-kurs/n88x31.gif" alt="NANO_Technologies" width="88" height="31" border="0"></A>

Newsflash

По прогнозам ученых до сборки первого наноробота осталось 5-7 лет...

27 September 2005

Одноэлектроника |  |

Опубликовал Irina Bolshakova |

04 December 2004

Одно из самых перспективных направлений увеличения степени интеграции микросхем основано на развитии приборов, в которых контролируется перемещение буквально одного электрона. В таких устройствах, называемых сейчас одноэлектронными транзисторами бит информации будет представлен одним электроном. В одноэлектронных транзисторах время перемещения электрона определяется процессами туннелирования и может быть очень малым.

Теория одноэлектронного туннелирования была предложена К.К. Лихаревым в 1986 году. В элементарном виде развиваемые представления мргут быть рассмотрены следующим образом.

Пусть имеется туннельный переход образованный двумя близко расположенными металлическими электродами и изолирующим слоем между ними. Обозначим емкость такой системы через С. Тогда энергия данной системы может быть представлена как

E=Q2/2C

где Q – заряд на обкладках конденсатора. Так как заряд кратен заряду электрона, то минимальная величина изменения энергии составит

=e2/2C

Проявления эффектов связанных с дискретной природой зарядов необходимо, чтобы минимальное изменение энергии было больше температурных флуктуаций, т.е.

>>kT

где k– постоянная Больцмана, а Т – температура. Кроме этого, необходимо, чтобы данное изменение превышало энергию квантовых флуктуаций, величина которых может быть оценена из следующих соотношений

>>h =RC -> >>h/RC

где R = max(Ri;Rs) – сопротивление или перехода или утечки шунти-рующей переход.
Исходя из этого выражение можно переписать как

R>>RQ

где RQ=h/4e2 =6,45кОм- квантовое сопртивление.
Важным предположением теории одноэлектронного туннелирования является заключение, что начальный заряд Q0 на туннельном переходе может быть отличен от 0, и, более того, может принимать значения не кратные целому числу электронов. Данный факт объясняется тем, что этот заряд может создаваться поляризацией близлежащих электронов, заряженных примесей и т.д., и таким образом иметь любое значение. Запишем заряд Q в уравнении в виде

Q=Q0± ne

Можно увидеть, что если Q0 в пределах от -е/2 до е/2, то добавление или вычитание целого числа электронов будет увеличивать общую энергию системы, т.е. является энергетически невыгодным.

Последнее обновление ( 23 December 2004 )

Most Read

| Физические основы наноэлектроники
| Сайт Нано Технологии
| Однопереходные транзисторы, технологии получения наноструктур
| Плазменное травление
| Анализ ключевых аспектов плазменного травления

Shout It!
Expand | Crop | Help Имя: Сообщение:

Главная | Новости | Публикации | FAQ | Галерея | Ссылки | Контакты | Администратор |
Copyright © 2002-2005 Stefanovich G.B. & Bolshakova I.P.